| Подробная информация о производителях - в GUIDE'е, о типах корпусов - здесь | |||||
| код | наименование | функция | корпус | производитель | примечания |
|---|---|---|---|---|---|
| Y2 | BZX84-C12 | стабилитрон 12В, 250мВт | sot23 | Fairchild, Diodes | |
| Y2 | CLY2 | GaAs полевой: 9В/600мА 3ГГц | mw6 | Infineon | |
| Y2 | SS8550/W | pnp: 25В/1,5А | sot23/323 | Galaxy Semi | |
| Y2## | R1210N522C | повышающий dc-dc: 5,2В 100кГц +LTD | sot23-5 | Ricoh | ## - lot-код |
| Y20 | BZX84-C68 | стабилитрон 68В, 250мВт | sot23 | NXP | |
| Y21 | BZX84-C75 | стабилитрон 75В, 250мВт | sot23 | NXP | |
| Y2A* | TLVH432CDBVZ | шунтовой ИОН: adj. 1,5% | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2B* | TLVH432IDBZ | шунтовой ИОН: adj. 1,5% ind | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2D* | TLVH432QDBZ | шунтовой ИОН: adj. 1,5% ind | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2E* | TLVH432ACDBZ | шунтовой ИОН: adj. 1% | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2F* | TLVH432AIDBZ | шунтовой ИОН: adj. 1% ind | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2G* | TLVH432AQDBZ | шунтовой ИОН: adj. 1% auto | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2H* | TLVH432BCDBZ | шунтовой ИОН: adj. 0,5% | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2J* | TLVH432BIDBZ | шунтовой ИОН: adj. 0,5% ind | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2K* | TLVH432BQDBZ | шунтовой ИОН: adj. 0,5% auto | sot23 | TI | * - fab-код |
| Y2p | BZX84-C12 | стабилитрон 12В, 250мВт | sot23 | NXP | @Hong Kong |
| Y2t | BZX84-C12 | стабилитрон 12В, 250мВт | sot23 | NXP | @Malaysia |
| Y2W | BZX84-C12 | стабилитрон 12В, 250мВт | sot23 | NXP | @China |