В январе 1964 г. приказом № 2 Президиума Госкомитета по электронной технике СССР в городе Томске был открыт научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов.
Предпосылками создания НИИПП именно в Томске явились существовавшая школа специалистов по материаловедению на кафедрах Томского государственного университета и в лабораториях Сибирского физико-технического института, новые оригинальные результаты научно-исследовательских работ по выращиванию и изучению свойств полупроводниковых материалов типа А3В5, полученные под руководством профессора ТГУ В. А. Преснова, наличие в городе высокопрофессиональных кадров и возможности подготовки новых молодых специалистов-физиков полупроводниковой электроники. Директором института и его научным руководителем был назначен Виктор Алексеевич Преснов. Именно с его непосредственным участием связано зарождение и развитие на предприятии всех научных и приборных направлений. Перед НИИПП были поставлены задачи разработки технологии выращивания арсенида галлия, изучения его свойств и создания новых классов приборов на его основе.
В НИИПП были разработаны процессы получения эпитаксиальных структур широкой номенклатуры для СВЧ изделий (диодов Ганна, смесительных, умножительных, детекторных, импульсных диодов), оптоэлектронных диодов ИК-диапазона, интегральных схем. Большинство изделий, которые выпускались и выпускаются сегодня на предприятии НИИПП, обеспечивались эпитаксиальными структурами, созданными в отделе материаловедения.
Прекрасно понимая, что комплексное развитие нового направления в отечественной электронике возможно только при наличии замкнутого цикла: исследование – разработка – выпуск разработанных изделий, -Виктор Алексеевич сумел убедить в этом Министерство электронной промышленности. И уже в 1967 году при НИИПП был создан опытный, а позднее серийный завод по выпуску полупроводниковых приборов, разрабатываемых в подразделениях института.
Главными направлениями разработок были:
– изделия СВЧ электроники, (смесительные, детекторные, настроечные диоды с барьером Шоттки мм диапазона и монолитные интегральные схемы);
– приборы на эффекте Ганна;
– светодиоды и оптоэлектронные приборы.
В НИИПП появились и первые отечественные не имеющие аналогов за рубежом монолитные интегральные схемы мм диапазона на основе оригинальной технологии МИС мембранного типа, обладающие уникальным сочетанием технологической простоты, высоких параметров и устойчивости к жестким внешним воздействиям. В настоящее время на основе этой технологии создаются образцы МИС и модулей на их основе самого разного типа (балансные смесители, двубалансные смесители, смесители сдвига, детекторы, умножители частоты, квазимонолитные генераторы, модуляторы). Созданы образцы приемных и приемо-передающих модулей в едином корпусе в 8, 5, 3 и 2 мм диапазоне.
Проводится разработка монолитных смесителей и умножителей частоты для работы в диапазоне 500 – 700 ГГц для радиоастрономических исследований и для зондирования атмосферы. Особое место в ряду разработок СВЧ диапазона занимают генераторные диоды Ганна и сложные функционально законченные устройства на их основе.
За время работы по направлению СВЧ электроники получено более 100 авторских свидетельств и патентов. Современный отдел СВЧ электроники имеет все основания быть лидером в области создания малогабаритных приемо-передающих модулей и устройств для систем ближней локации и радиовидения.
Параллельно в НИИПП идет становление оптоэлектроники — от создания первых ИК диодов на арсениде галлия, базовая технология которых послужила основой для создания высокоскоростного светодиода, серии мощных излучающих ИК диодов, до оптоэлектронных приборов, нашедших широкое применение в аппаратуре космического назначения, в системах атмосферной оптической связи, активно-импульсных приборах ночного видения, для управления движением объектов. Аппараты, в которых применялись изделия оптоэлектроники НИИПП, побывали в космосе, на Венере и Луне.
Развитие оптоэлектроники шло по нескольким направлениям: повышение мощности излучения диодов; создание излучающих диодов для волоконно-оптических линий связи (ВОЛС); разработка излучающих диодов с повышенной стойкостью к дестабилизирующим факторам; создание интегрированных оптоэлектронных устройств.
Наряду с разработкой специализированных излучающих диодов на предприятии создавались и индикаторные светодиоды различного цвета свечения. В процессе конверсии 90-х годов были начаты работы по двойному применению мощных светоизлучающих диодов.
(источник: www.niipp.ru/about/history/)