НИИМЭ был создан в 1964 году приказом Госкомитета СССР по электронной технике для разработки и производства полупроводниковых микросхем.
1967 год = При НИИМЭ организован завод «Микрон»
1970 год = Институт вошел в число ведущих электронных фирм мира. В НИИМЭ и на заводе «Микрон» работало около 8000 человек, произведено более 3,5 млн микросхем за год
1983 год = НИИМЭ и «Микрон» награждены орденом Трудового Красного знамени за успешное выполнение задания по разработке и созданию Единой системы ЭВМ
1985 год = Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор, педназначенный для построения высокопроизводительных ЭВМ и устройств радиоэлектронной аппаратуры, включая РЭА цифровой обработки сигналов зенитно-ракетной системы ПВО С-400
1994 год = Зарегистрировано АООТ «НИИ молекулярной электроники и завод “Микрон”»
1996 год = Начата поставка кристаллов интегральных схем для компании Samsung
2007 год = Запущено производство интегральных микросхем с топологическими нормами 180 нм
2011 год = Разработан первый микроконтроллер для транспортных приложений
2012 год = Освоено производство интегральных схем на основе технологии с проектными нормами 90 нм на пластинах диаметром 200 мм, начата разработка производства интегральных схем уровня 65–45 нм и меньшее
2013 год = Начаты поставки микросхем для паспортно-визовых документов нового поколения, завершена разработка технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм, получены первые транзисторы
2014 год = Выпущены первые отечественные двухядерные микропроцессоры «Эльбрус-2СМ» по технологии 90 нм
2015 год = Разработан банковский чип для Национальной системы платежных карт «Мир»
(источник: www.niime.ru/)