История завода начинается с 1 декабря 1964 года, когда в г. Фрязино Московской области было организовано производство полупроводниковых приборов.
Первоначально завод назывался «Опытно-показательный завод полупроводниковых приборов специального назначения» (ОПЗПП), с 1973 года — «Фрязинский завод им. 50-летия СССР» и являлся головным заводом производственного объединения «Электронприбор».
Выпуск продукции заводом начался с полупроводниковых приборов — диодов. С 1966 года предприятие начало производить мощные транзисторы, а с 1968 года — кремниевые маломощные бескорпусные транзисторы. В этом же году был освоен выпуск маломощных транзисторов в пластмассовом корпусе (КТ315), а через год — интегральные микросхемы (ИМС) серии 110. Одним из первых в электронной отрасли завод освоил производство диалоговычислительных комплексов, изделий промышленной электроники, телевизоров, светотехнической продукции на базе электронных балластов.
Завод имел в своем составе ОКБ и СКТБ, производственные подразделения по изготовлению кристаллов и корпусов для ИЭТ, по нанесению гальванических покрытий, а также машиностроительный комплекс.
АО «ФЗМТ» основано в 1996 году, выделившись в самостоятельное предприятие из производственного объединения «Электронприбор», объединило при этом в своем составе те подразделения «Электронприбор», которые были связаны с разработкой и серийным производством мощных транзисторов. Предприятие является техническим преемником «Электронприбор» по всем направлениям деятельности, относящейся к мощным транзисторам.
В настоящее время АО «ФЗМТ» специализируется на производстве изделий специального назначения: биполярных мощных транзисторов (БМТ), мощных полевых (МОП МТ) и мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ). С 2013 года начат выпуск мощных диодов и сборок на их основе.
Мощные транзисторы специального назначения, выпускаемые АО «ФЗМТ», находят применение в ответственных узлах и блоках электропитания и электрооборудования различных систем Вооружений и Военной Техники (ВВТ), включая ВВТ для ВМС, ВВС, РВСН и сухопутных войск.
Первым директором ФЗМТ был Г.Д.Колмогоров
Г. Д. Колмогоров родился 10 ноября 1929 г. в многодетной крестьянской семье в селе Саргатка, Саргатского района Омской области. С ранних лет он видел, каким нелёгким крестьянским трудом достаётся хлеб. Годы его детства и юности совпали с тяжёлым для страны периодом. Когда началась Великая Отечественная война, как и многие его сверстники в то трудное время, он встал за станок и вытачивал корпуса мин, непосредственно внося посильный вклад в общенародное дело. А было ему тогда 12 лет. За военные годы он получил первую государственную награду — медаль «За победу в Великой отечественной войне».
С 1949 по 1958 г. Г. Колмогоров служит в войсках ПВО на острове Сахалин. Здесь же он становиться членом КПСС. После службы, поступает и с отличием заканчивает Новосибирский техникум, а затем и Новосибирский электротехнический институт. В это время, страна создавала и развивала свою электронную промышленность и ей нужны были квалифицированные специалисты и умелые организаторы. Выпускник Новосибирского электротехнического института, Георгий Дмитриевич продолжает работу на первоме в стране заводе полупроводниковых приборов в Новосибирске, где работает мастером, зам. начальника цеха. Вскоре, он избирается секретарём цеховой партийной организации. Именно здесь молодой инженер формируется как специалист в области полупроводникового производства и получает организаторские навыки, так пригодившиеся ему в дальнейшем.
В 1961 году в Херсоне строится новый завод полупроводниковых приборов (ЗПП) и Колмогоров переводится на работу в Херсон. За разработку высокочастотных транзисторов и производственные успехи Г. Д. Колмогоров награждается орденом Трудового Красного Знамени.
В 1966 году в подмосковном городе Фрязино запускается новый завод — Фрязинский ЗПП (ФЗПП). Приказом министра электронной промышленности Г. Д. Колмогоров переводится во Фрязино для организации нового производства и назначается директором ФЗПП. Под его руководством Фрязинский ЗПП в короткий срок выходит на проектную мощность — 30 млн. транзисторов в год. В результате полной переделки технологической части проекта удалось в течение 2-х лет нарастить выпуск транзисторов и интегральных схем до 150 млн. и таким образом в 5 раз перекрыть проектную мощность завода.
Без отрыва от производства он заканчивает Институт управления народным хозяйством, а затем аспирантуру. В 1970 году успешно защищает кандидатскую диссертацию, а в 1975 году — докторскую.
Решением Правительства в 1975 году назначается первым заместителем министра промышленности средств связи, возглавляет научно-техническое и технологическое направления.
(источник: fzmt.ru/about)