Г.Келл
опубликовано в журнале НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ №2/17
последняя коррекция: декабрь 2021

Немного найдется в электронной отрасли компаний, корни которых уходят в 19 век. Но в Европе такое вполне возможно – ведь именно это время было отмечено бурным ростом промышленности и возникновением известных брендов.

И лучшим примером, несомненно, является компания INFINEON, созданная в 1999 году на базе полупроводникового подразделения концерна SIEMENS, который к тому времени превратился из небольшой телеграфной мастерской, основанной Вернером фон Сименс и Иоганном Гальске в 1847 году в глобальный холдинг в области электротехники, электроники, энергетики, транспорта, медицинской и светотехники.

Вторая мировая война закончилась для SIEMENS убытком в 2,58 млрд. рейхсмарок (примерно 4/5 всех ее активов), что было, в первую очередь, результатом бомбардировок союзниками ее предприятий в крупных промышленных центрах Германии, на которых 1944 году трудилось 244 тыс. работников (более 50 тыс. из которых были военнопленными и подневольными рабочими). В самом конце войны компания приняла программу переноса уцелевших и создания новых предприятий и лабораторий в районы не слишком затронутые войной – таких новых «площадок» было создано около 400. В 1946 году в компанию трудилось всего 40 тыс. человек.

Одна из новых лабораторий была создана летом 1946 года в поместье (или как пишут в официальной истории компании – «небольшом замке») баварского селения Прецфельд (Pretzfeld) в 50 км к северу от Нюрнберга. Ее руководителем стал Эберхард Спенке (Eberhard Spenke), переехавший из Берлина, где он занимался в лаборатории SIEMENS разработкой оборудования для обнаружения мин. А научным консультантом - Вальтер Шоттки (Walter Schottky) [фото 1954 года] - легендарный немецкий ученый (ученик Макса Планка), с именем которого связаны многие изобретения в области электроники (ленточный микрофон и динамик, ламповый пентод, супергетеродинный эффект). Но основным стал эффект выпрямления переменного тока на переходе полупроводник-металл, получивший название «эффект Шоттки», и реализованный в хорошо известном всем электронщикам диоде Шоттки.

Скорее всего, поскольку Шоттки и Спенке были соавторами в опубликованной еще в 1939 году статье «Zur quantitativen Durchfuhrung der Raumladungs- und Randschichttheorie der Kristallgleichrichter» (Количественное выражение поверхностного заряда и теория поверхностных слоёв полупроводниковых диодов), в которой описывался принцип действия диодов с переходом металл-полупроводник, тематикой лаборатории стали именно полупроводники. И первый успех пришел, когда в 1954 году в лаборатории был разработан метод получения сверхчистого кремния за счет химического парофазного осаждения (ХПО) из газовой среды, с дальнейшей зонной плавкой для очистки от примесей и преобразования поликристаллического кремния в монокристаллический. Этот метод получения чистого кремния, претерпев множество усовершенствований, широко используется, наряду с методом Чохральского, и в наши дни.

Полупроводниковая тематика была в сфере внимания и других лабораторий SIEMENS. В 1953 году Генрих Велкер (Heinrich Welker) обнаружил, что некоторые соединения трёх- и пятивалентных материалов, например арсенид галлия, обладают полупроводниковыми свойствами. И эти материалы в дальнейшем стали основой для производства светодиодов.

В 1959 году SIEMENS открывает фабрику в Регенсбурге (Regensburg) первоначально предназначенную для производства керамических конденсаторов, но впоследствии перепрофилированную на полупроводники. В наши дни около 2 тыс. человек заняты здесь на производстве 200-мм пластин. В 60-е годы начинается активное внедрение полупроводниковой продукции SIEMENS в электронную технику европейских производителей. Так в 1963 году меза-планарные ВЧ-транзисторы стали массово использоваться компанией GRUNDIG в своих телевизорах. В 1966 году компания объявила о начале массового выпуска первых европейских интегральных схем.

В 1969 году в результате реструктуризации компании SIEMENS, создано подразделение Электронных Компонентов (Bauelemente). Пять других бизнес-направлений: Data Systems, Power Engineering, Electrical Installations, Medical Engineering, and Telecommunications также стали более автономными. На этот момент в компании трудится уже более 270 тыс. человек и годовой оборот превысил 10 млрд. дойчмарок. В 1970 году завершено строительство полупроводниковой фабрики в австрийском Филлахе (Villach) – ее первой массовой продукцией стали, пассивированные стеклом, выпрямительные диоды.

В 1971 году SIEMENS начинает выпуск красных светодиодов, а в 1974 разрабатывает оптоэлектронный ИК-тракт, который, начиная с 1976 года, компания GRUNDIG первой в мире стала применять в пультах ДУ своих телевизоров. В 1979 году на рынок поступает первый SIPMOS™ транзистор BUZ10, а в 1984 компания вступает в конкурентную борьбу с японцами, запустив проект MEGA, результатом которого стал выпуск в 1987 году первой европейской 1М DRAM. В 1986 году, разработанные компанией чипы защищенной памяти, стали использоваться в телефонных картах. И в том же году компания представила первый защищенный “smart”-SIPMOS транзистор BTS412. И, завершая 80-ые, компания представила в 1989 году первый европейский 16 разрядный микроконтроллер 80C166. В том же году компания приобрела английского производителя электроники Plessey и передала свой бизнес пассивных компонентов в СП с японской компанией Matsushita. В 1999 году компания S+M (так называлось это СП) была деконсолидирована в самостоятельную компанию EPCOS, которая в 2008 году стала частью японской же компании TDK.

В 90-ые годы компания вышла на рынок GSM-телефонии, выпустив очень популярный чипсет для сотовых телефонов. Летом 1994 года канцлер Германии Гельмут Коль (Helmut Kohl) и CEO SIEMENS Хайнрих фон Пирер (Heinrich von Pierer) заложили камень в основание новой полупроводниковой фабрики в Дрездене, рассчитанной на производство 200мм пластин. Фабрика расположилась на бывшей территории советской воинской части (11й танковой дивизии, 1й танковой армии ЗГВ) в районе Клоче (Klotzsche), вблизи аэропорта, и была построена в рекордные 9 месяцев. В те годы она стала крупнейшей европейской полупроводниковой фабрикой с числом работающих 2 тыс. человек.

Компания EUPEC, созданная в 1990 году, как СП между SIEMENS и AEG для производства силовых полупроводников на заводе в Варштайне (Warstein), перешла под полный контроль компании. Около 2 тыс. человек трудится там и сейчас, выпуская мощные IGBT-модули для энергетики и транспортных применений. В 1997 году выпущено новое семейство МОП-транзисторов CoolMOS™ с пятикратно уменьшенным сопротивлением канала, относительно предшествующего семейства SIPMOS™. А в 1998 году был начат выпуск очень полулярных у автомобилестроителей 32р микроконтроллеров семейства TriCore™ - каждый третий автомобиль в следующем десятилетии имел «на борту» чип из этого семейства.

Наступил 1999 год и 1 апреля (так совпало) подразделение SIEMENS SEMICONDUCTOR было выделено (spin-off) в новую компанию INFINEON TECHNOLOGIES AG, 100% которой принадлежало SIEMENS. Название было синтезировано из английского infinity (бесконечность) и греческого eon (вечность). Прозаической причиной возникновения этой «вечной бесконечности» стали убытки в SIEMENS в бизнесе DRAM-памяти (только в 1998 году они составили $674 млн.). Уже через год компания провела IPO на биржах Нью-Йорка и Франкфурта и, к концу 2001 года, SIEMENS уменьшила свою долю в INFINEON до 41,3%, что, несомненно, порадовало акционеров.

Успешный процесс spin-off (1999 финансовый год был завершен с прибылью в $70 млн.) был несомненной заслугой Ульриха Шумахера (Ulrich Schumacher), являвшегося с 1996 года президентом и CEO SIEMENS SEMICONDUCTORS и возглавившего новую компанию. Он сместил акцент на производство чипов для смарт-карт и завоевал 34% рынка. Но разразился кризис 2001 года, затронувший всех производителей полупроводников, но и в этих условиях компания смогла первой осуществить переход на пластины диаметром 300 мм при производстве памяти, составлявшей от 30% до 40% всего оборота. И в том же 2001 году INFINEON освоил производство дискретных полупроводниковых приборов на карбиде кремния (SiC). Стоит отметить, что Ульрих Шумахер покинул компанию в 2004 году, не согласившись с позицией Совета директоров о дальнейших путях развития компании.

Нелишне напомнить, что в 1999 году была создана компания OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS - СП с участием INFINEON (49%) и OSRAM (51%). Последняя была создана еще в 1919 году как объединение светотехнических бизнесов Siemens & Halske, AEG и Auer-Gesellschaft – имя компании сформировалось слиянием частей названия металлов осмий и вольфрам (OSmium+wolfRAM) – главных составляющих нитей накаливания осветительных ламп. Но уже летом 2001 года все акции INFINEON’а были выкуплены OSRAM'ом за €565 млн.

Последующие годы стали этапом глобального роста компании. В 2002 году открывается R&D центр в Бангалоре (Индия) и в 2003 году новый офис в Шанхае (Китай). В 2005-ом создаются центр разработок силовых полупроводников в Бухаресте (Румыния) и штаб-квартира для азиатско-тихоокеанского региона в Сингапуре, а в 2006 году вводится в строй полупроводниковая front-end фабрика в Кулиме (Малайзия).. Не забывается и Германия - в 2006 году компания переезжает в новую штаб-квартиру в баварском Нойбиберге (Neubiberg), где на 62 га ландшафтного парка разместились «дружественные к окружающей среде» офисы для 5 тыс. сотрудников.

С 2006 года INFINEON начинает переформатирование бизнес-направлений. В первую очередь избавляется от производства памяти, выделив его в отдельное предприятие QIMONDA, куда переходит 12 тыс. сотрудников и передается 5 фабрик по производству 300 мм пластин. Но рынок микросхем памяти продолжает оставаться «недружественным» и через три года QIMONDA будет обанкрочена. В 2007 году компании AVAGO продается ВОЛС-бизнес, а в 2008 компания LSI покупает бизнес микросхем для накопителей на жестких дисках. В июле 2009 INFINEON выделяет свой бизнес микросхем для проводной связи в компанию LANTIQ, и в ноябре продает его инвестиционной компании Golden Gate Capital. Позднее, в 2015 году LANTIQ станет частью INTEL. Но еще в 2010 году INTEL покупает у INFINEON бизнес микросхем беспроводной связи, и переводит около 3500 сотрудников в свой департамент Mobile Communications.

В августе 2014 года INFINEON анонсирует крупнейшую в своей истории M&A-сделку – покупку за $3 млрд. американской компании INTERNATIONAL RECTIFIER, а к октябрю 2015 года сделка успешно завершается и штат компании вырастает до 35,4 тыс. человек. Компания INFINEON выходит в лидеры рынка силовых дискретных полупроводников широкого назначения и получает доступ к перспективной технологии GaN-полупроводников. Не останавливаясь на этом, в июле 2016 года INFINEON объявляет о приобретении за $850млн. американской же компании WOLFSPEED, которая лишь 10 месяцев до этого «выделилась» из CREE в результате spin-off и обладает высокой компетенцией в SiC-технологии. Однако, сделка расторгнута в феврале 2017 из-за отказа Комитет по иностранным инвестициям США (CFIUS, Committee on Foreign Investment in the United States) одобрить ее по соображениям национальной безопасности.

Последние 10 лет компания INFINEON постепенно поднимается в мировых рейтингах производителей полупроводников. По данным аналитической компании IHS в 2006 году компания занимала 15-е место, а в 2015-м 12-е. В аналогичном рейтинге от компании IC Insights за те же годы компания переместилась с 12-го на 11-е место. Но можно вспомнить, что в 2006 году (с учетом продаж QIMONDA), компания занимала 4-е место в Top-10 от iSuppli !

С октября 2012 года руководит INFINEON’ом Рейнхард Плосс (Reinhard Ploss), с 2007 года входивший в Совет директоров компании. А пришел он в компанию (тогда еще SIEMENS) в далеком 1986 году после окончания Мюнхенского Технического Университета и защиты докторской диссертации. В настоящее время в компании существует 4 бизнес-сегмента, продукция для которых выпускается на 19-ти фабриках по всему миру:

• • Automotive - 41% оборота
• • Power Management & Multimarket - 31% оборота
• • Industrial Power Control - 17% оборота
• • Chip Card & Security - 11% оборота

В заключение следует отметить, что подробная информация о продукции INFINEON, с примерами применения и средствами разработки, размещена на сайте компании => www.infineon.com.

Источники:
1. Полупроводниковая электроника. Под. ред. У.Шумахера. 3-е издание. 2004 г.
2. INFINEON timeline => www.infineon.com/cms/en/product/promopages/timeline/