| автор | название | опубликовано | |
|---|---|---|---|
| Дмитрий Боднарь | Полупроводниковая микроэлектроника – 2023. Часть 1. Широкозонные полупроводники раздвигают горизонты достигнутого |
ЭК 11/23 |  (1.941kB) |
| Аалок Бхатт, ... перевод: А.Колпаков |
Силовые MOSFET в обедненном режиме: «забытые» MOS | СЭ 4/22 | (425kB) |
| Роберт Шульга | Приборы на основе нитрида галлия для преобразователей напряжения и частоты | СЭ 6/21 | (253kB) |
| Роберт Шульга | Приборы на основе карбида кремния — основа преобразователей для электроэнергетики | СЭ 6/21 | (914kB) |
| Дмитрий Боднарь | Полупроводниковая микроэлектроника – 2020. Широкозонные полупроводники как главный инструмент повышения энергоэффективности электроники |
ЭК 3-4/21 | (1.158kB) |
| Александр Пескин | Обзор современных изолированных драйверов затворов MOSFET/IGBT | СЭ 1/19 | (454kB) |
| Владимир Рентюк | Преимущества, особенности применения и проблема выбора кремниевых защитных элементов для высокоскоростных интерфейсов | КиТ 10/17 | (927kB) |
| Анатолий Керенцев, Владимир Ланин | Конструктивно-технологические особенности MOSFET транзисторов | КиТ 4/07 | (167kB) |