smd-код "R2"

код наименование функция корпус производитель примечания
R2 BFR93AW npn: 12В/35мА 5ГГц sot323 NXP  
+R2 BFR93A npn: 12В/50мА 6ГГц sot23 Vishay  
R2 SI3402 nМОП: 30В/4А/55мОм sot23 MCC  
R2* LMV331IDCK стандартный компаратор sc70 TI * - fab
R2## RP114K201D LDO: 2,0В/300мА + autodischarge dfn4 Ricoh ## - lot-код
R20 AD1582BRTZ прецизионный ИОН: 2,5В/2мВ sot23 ADI RoHS
R20 REF3320AIDCK микромощный ИОН: 2,048В 30ppm sc70 TI  
R20 SI3420 nМОП: 20В/6А/20мОм sot23 MCC  
R21 FJV3101R цифровой npn: 50В/100мА, 4.7k/4.7k sot23 Fairchild  
R21A LM4120AIM5-1.8 прецизионный "bandgap" ИОН: 1,8В, ±0,2% sot23-5 TI  
R21B LM4120IM5-1.8 прецизионный "bandgap" ИОН: 1,8В, ±0,5% sot23-5 TI  
R22 AD1583ARTZ прецизионный ИОН: 3,0В/30мВ sot23 ADI RoHS
R22 FJV3102R цифровой npn: 50В/100мА, 10k/10k sot23 Fairchild  
R23 2SC3356Q npn: 20В/120мА, 1ГГц h21=50...100 sot23 NEC  
R23 AD1583BRTZ прецизионный ИОН: 3,0В/3мВ sot23 ADI RoHS
R23 FJV3103R цифровой npn: 50В, 100мА, 22k/22k sot23 Fairchild  
R24 2SC3356R npn: 20В/120мА, 1ГГц h21=80...160 sot23 NEC  
R24 FJV3104R цифровой npn: 50В, 100мА, 47k/47k sot23 Fairchild  
R25 2SC3356S npn: 20В/120мА, 1ГГц h21=125...250 sot23 NEC  
R25 AD1584ARTZ прецизионный ИОН: 4,096В/40мВ sot23 ADI RoHS
R25 FJV3105R цифровой npn: 50В, 100мА, 4.7k/10k sot23 Fairchild  
R25 REF3325AIDCK микромощный ИОН: 2,5В 30ppm sc70 TI  
R26 AD1584BRTZ прецизионный ИОН: 4,096В/4мВ sot23 ADI RoHS
R26 FJV3106R цифровой npn: 50В/100мА, 10k/47k sot23 Fairchild  
R27 FJV3107R цифровой npn: 50В/100мА, 22k/47k sot23 Fairchild  
R28 AD1585ARTZ прецизионный ИОН: 5,0В/50мВ sot23 ADI RoHS
R28 FJV3108R цифровой npn: 50В/100мА, 47k/22k sot23 Fairchild  
R29 AD1585BRTZ прецизионный ИОН: 5,0В/5мВ sot23 ADI RoHS
R29 FJV3109R цифровой npn: 50В/100мА, 4.7k/ sot23 Fairchild  
R2A LM4040AIM3-2.5 прецизионный "bandgap" ИОН: 2,5 В, ±0,1% sot23 LTC  
R2A UMT/SST/MMST3906 pnp: 40В/200мА h21=100...300 sc70/sot23/sc59 Rohm  
R2B LM4040BIM3-2.5 прецизионный "bandgap" ИОН: 2,5 В, ±0,2% sot23/sc70 LTC  
R2C LM4040CIM3-2.5 прецизионный "bandgap" ИОН: 2,5 В, ±0,5% sot23/sc70 LTC  
R2D LM4040DIM3-2.5 прецизионный "bandgap" ИОН: 2,5 В, ±1% sot23/sc70 LTC  
R2D ADR380ART ИОН: 2,048В sot23 ADI  
R2E AD1580BRTZ прецизионный "шунтовой" ИОН: 1,2В/1мВ sot23|sc70 ADI RoHS
R2E LM4040EIM3-2.5 прецизионный "bandgap" ИОН: 2,048 В, ±2% sot23/sc70 LTC  
R2p BFR93A npn:12В/35мА 6ГГц sot23 NXP  
R2p PUMF12 pnp + "цифровой" npn: 50В/100мА 22k/47k sot363 NXP @Hong Kong
R2s BFR93A npn: 12В/90мА 6ГГц sot23 Infineon  
R2T SST/MMST4403 pnp: 40В/600мА h21=100...300 sot23/sot346 Rohm  
R2t PUMF12 pnp + "цифровой" npn: 50В/100мА 22k/47k sot363 NXP @Malaysia