smd-код "P7"

код наименование функция корпус производитель примечания
P7 BAS70-07P6 2 несоедин. диода Шоттки: 70В/70мА sot666 STM  
P7 Si2319CDS pМОП:-40В/4,4А/77мОм sot23 Vishay  
p70 BZX84-B16 стабилитрон 350мВт: 16В, 2% sot23 NXP @Hong Kong
p71 BZX84-B18 стабилитрон 350мВт: 18В, 2% sot23 NXP @Hong Kong
p72 BZX84-B20 стабилитрон 350мВт: 20В, 2% sot23 NXP @Hong Kong
p73 BZX84-B22 стабилитрон 350мВт: 22В, 2% sot23 NXP @Hong Kong
p74 BZX84-B24 стабилитрон 350мВт: 24В, 2% sot23 NXP @Hong Kong
p75 BZX84-A27 стабилитрон 350мВт: 27В, 1% sot23 NXP @Hong Kong
p7G PBRN113ET "цифровой" npn: 40В/800мА, 1кОм/1кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7H PBRP123ET "цифровой" pnp: 40В/800мА, 2,2кОм/2,2кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7J PBRN112ET "цифровой" npn: 40В/800мА, 2,2кОм/2,2кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7K PBRP113ET "цифровой" pnp: 40В/800мА, 1кОм/1кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7L PBRN113ZT "цифровой" npn: 40В/800мА, 1кОм/10кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7M PBRP113ZT "цифровой" pnp: 40В/800мА, 1кОм/10кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7P PBRN112YT "цифровой" npn: 40В/800мА, 2,2кОм/10кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7Q PBRP123YT "цифровой" pnp: 40В/800мА, 2,2кОм/10кОм Usat=300мВ sot23 NXP @Hong Kong
p7V PDTD113ZT "цифровой" npn: 50В/500мА 1k/10k sot23 NXP @Hong Kong
p7W PDTB113ZT "цифровой" pnp: 50В/500мА 1k/10k sot23 NXP @Hong Kong
p7X PDTD123YT "цифровой" npn: 50В/500мА 2,2k/10k sot23 NXP @Hong Kong