smd-код "B2"

код наименование функция корпус производитель примечания
B2 BSV52 npn: 12В/200мА h21=40...120 400МГц sot23 Diodes, Fairchild, STM  
B2 BZX884-C2V7 стабилитрон 250мВт: 2,7В 5% sod882 NXP  
B2 PEMB2 2x "цифровых" pnp: 50В/100мА 47k/47k sot666 NXP  
B2 PMEM4010PD pnp 40В/1А + диод Шоттки 20В/1А sot457 NXP  
B2 PTVS58VS1UR suppressor 400W: 58В несимметричный sod123w NXP  
B2 PUMB30 2x "цифровых" pnp: 50В/100мА 2,2k/- sot363 NXP @Hong Kong
B2 TLV71320PDQN LDO стабилизатор 2,0В/150мА, ind x2son4 TI  
B2x MBR0520LT диод Шоттки: 20В/0,5А sod123 ON Semi x - date-код
B2x HSMS-2812/-281B два ВЧ диода Шоттки, соединенных последовательно sot23/sot323 Avago x - date-код
B2x# TC1015-2.7VCT LDO: 2.7В/100мА sot23-5 Microchip x# - date-|lot-код
B22Y ADS8322Y 16р sampling АЦП 500kSPS tqfp32 TI  
B23 ADS7823E 12р sampling АЦП I²C msop8 TI  
B25 ADS8325IBDG 16р sampling АЦП 100kSPS serial msop8 TI  
B25* 74AHCT1G125DBV одновентильный буфер tst sot23-5 TI * - fab-код
B26 INA326EA инструментальный КМОП ОУ msop8 TI  
B26* 74AHCT1G126DBV одновентильный буфер tst sot23-5 TI * - fab-код
B27 INA327EA инструментальный КМОП ОУ с shutdown msop8 TI  
B2A OP2177 сдвоенный прецизионный ОУ msop8 ADI  
B2p BSV52 npn: 12В/100мА h21=40...120 400МГц sot23 NXP @Hong Kong
B2t BSV52 npn: 12В/100мА h21=40...120 400МГц sot23 NXP @Malaysia
B2W BSV52 npn: 12В/100мА h21=40...120 400МГц sot23 NXP @China